用于半导体的HeliosG4PFIBUXeDualBeam-美国THERMO FISHER赛默飞世尔

美国THERMO FISHER赛默飞世尔

型号:

用于半导体的HeliosG4PFIBUXeDualBeam

Helios G4 PFIB UXe DualBeam 系统使您能够：

• 使用具有高电流 UC+ 单色器技术的* ElstarSEM 电子镜筒，可获得纳米级 SEM 图像分辨率和表面灵敏度，从而显示较为细致的细节信息。
• 使用新一代 2.5 微安 氙等离子体 FIB (PFIB 2.0) 镜筒，可进行较高通量和质量相关 3D 表征、横向切片和微加工。
• 使用自动摇摆研磨机，可实现高产率、无屏障大面积横向切片制备并获得高质量 TEM 片晶。
• 实现卓越的低 kV 离子束性能，可提高材料灵敏度和降低样品制备损伤。
• 通过可选配的 MultiChem 或 GIS 气体输送系统，可提供在 FIB-SEM 系统上进行电子和离子束诱导的沉积及蚀刻的较高级功能。
• 通过具有*的 Dx 和 DE 化学物质，在常规和低 k 电介质中对铜金属化进行逆向处理。并通过基于等离子 FIB 的化学过程和配方铣削先进的包装材料。
   

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