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常温及TE制冷型近红外探测器,使用范围:0.8-2.6μm
常温及TE制冷型近红外探测器,使用范围:0.8-2.6μm 产品概述● DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件
● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
● DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件
光谱响应度曲线参考图
型号/参数 | DInGaAs1650 | DInGaAs1700-R03M | DInGaAs2600-R03M |
光敏面直径(mm) | 3 | 3 | 3 |
波长范围(nm) | 800-1700 | 800-1700 | 800-2600 |
峰值响应度(A/W, *小) | 0.85 | 0.9 | 1.1 |
暗电流(nA, *大) | 200 | 100 | 1mA |
D*(典型值) | - | 2.3×1012 | 4.1×1010 |
NEP(典型值) | - | 1.2×10-13 | 6.5×10-12 |
阻抗(MΩ) | 1 | 1.5 | 320Ω |
电容(pF) | 1500 | 800 | 9000 |
响应时间(ns) | 160 | 100 | 1μs |
信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 |
输出信号极性 | 正(P) | 正(P) | 正(P) |
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