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OPTM 系列显微分光膜厚仪使用显微光谱法在微小区域内通过反射率进行测量，可进行高精度膜厚度/光学常数分析。可通过非破坏性和非接触方式测量涂膜的厚度，例如各种膜、晶片、光学材料和多层膜。 测量时间上，能达到1秒/点的高速测量，并且搭载了即使是初次使用的用户，也可容易出分析光学常数的软件。
OPTM 系列显微分光膜厚仪使用显微光谱法在微小区域内通过反射率进行测量，可进行高精度膜厚度/光学常数分析。 可通过非破坏性和非接触方式测量涂膜的厚度，例如各种膜、晶片、光学材料和多层膜。 测量时间上，能达到1秒/点的高速测量，并且搭载了即使是初次使用的用户，也可容易出分析光学常数的软件。
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 测定时间 | 1秒 / 1点 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小约5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規格 | 氘灯 卤素灯 | 卤素灯 | |
| 电源規格 | AC100V±10V 750VA（自动样品台规格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分) | ||
| 重量 | 约 55kg（自动样品台规格之主体部分） | ||
测量项目：
反射率测量 多层膜解析 光学常数分析（n：折射率，k：消光系数）
测量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量
半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号，但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径，有必要隔离晶体管，埋入绝缘膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜，或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。 为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制，有必要测量这些膜厚度。
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